IRFR9120NTRPBF Especificaciones técnicas

IRFR9120NTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -6.6A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 40W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480m Ω @ 3.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 31 ns
Continuous Drain Current (ID) -6.6A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
Dual Supply Voltage 100V
Nominal Vgs -4 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 480mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 40W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A Tc
Rise Time 47ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Threshold Voltage -4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 26A
Recovery Time 150 ns
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'IRFR9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR9010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 71662
IRFR9010 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16897
IRFR9010 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2722
IRFR9010PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3842
IRFR9010PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32373
IRFR9010PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFR9010TF SAMAUNG CIs Calientes Especializados 2170
IRFR9010TR Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3029
IRFR9010TR Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8267
IRFR9010TRL Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2661

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