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IRFR9120NTRPBF Especificaciones técnicas
IRFR9120NTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | -100V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -6.6A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 40W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480m Ω @ 3.9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 31 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -6.6A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | -100V |
Dual Supply Voltage | 100V |
Nominal Vgs | -4 V |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 480mOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 40W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A Tc |
Rise Time | 47ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Threshold Voltage | -4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 26A |
Recovery Time | 150 ns |
Height | 2.3876mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRFR9120NTRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFR9120NTRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFR9" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFR9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFR9010 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 71662 |
IRFR9010 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16897 |
IRFR9010 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 2722 |
IRFR9010PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3842 |
IRFR9010PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32373 |
IRFR9010PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRFR9010TF | SAMAUNG | CIs Calientes Especializados | 2170 |
IRFR9010TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3029 |
IRFR9010TR | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8267 |
IRFR9010TRL | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2661 |
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SiTime
-20 TO 70C, 7050, 25PPM, 2.8V, 7
Fabricantes destacados
Categorías Populares
ICs Transceptores RF
Circuitos Integra...
Cables de Envoltu...
Hardware de Movim...
Accesorios de Con...
Térmico - Almohad...
Transistores - JFETs
Lógica - Biestables
Módulos VFD
Cables, Alambres ...
Relés de Seguridad
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