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IRFR3710ZTRPBF Especificaciones técnicas

IRFR3710ZTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 42A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 140W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 43ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 53 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 220A
Recovery Time 53 ns
Nominal Vgs 2 V
Length 6.1976mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 18MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 140W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 33A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2930pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 42 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Dual Supply Voltage 100V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 2.52mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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IRFR3710ZTRPBF Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFR3710ZTRPBF

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRFR3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFR3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR310 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2431
IRFR310 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16017
IRFR310 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2754
IRFR3103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22823
IRFR3103TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2715
IRFR3103TRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2709
IRFR3103TRPBF I CIs Calientes Especializados 12700
IRFR3103TRR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2650
IRFR310A IR CIs Calientes Especializados 4
IRFR310AMTM Original CIs Calientes Especializados 3500

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IRFR3710ZTRPBF fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IRFR3710ZTRPBF precio de referencia. IRFR3710ZTRPBF parámetros, IRFR3710ZTRPBF Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IRFR3710ZTRPBF Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IRFR3710ZTRPBF diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IRFR3710ZTRPBF tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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