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IRFR3518TRPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 29MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 110W |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A Tc |
Rise Time | 25ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 37 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 80V |
Height | 2.26mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 80V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 38A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 110W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 18A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 30A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 80V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFR3518TRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFR3518TRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFR3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFR3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFR310 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2431 |
IRFR310 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16017 |
IRFR310 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 2754 |
IRFR3103 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22823 |
IRFR3103TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2715 |
IRFR3103TRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2709 |
IRFR3103TRPBF | I | CIs Calientes Especializados | 12700 |
IRFR3103TRR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2650 |
IRFR310A | IR | CIs Calientes Especializados | 4 |
IRFR310AMTM | Original | CIs Calientes Especializados | 3500 |
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