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IRFR024NTRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.075Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 55V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 45W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 17A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 68A
Avalanche Energy Rating (Eas) 71 mJ
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR010 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 83785
IRFR010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 83785
IRFR010 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1803
IRFR010-TF SAMSUNG CIs Calientes Especializados 6285
IRFR010N IR CIs Calientes Especializados 10
IRFR010PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34142
IRFR010PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1718
IRFR010PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFR010TF FAI CIs Calientes Especializados 630
IRFR010TM TO-252 CIs Calientes Especializados 15350

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