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IRFP4668PBF Especificaciones técnicas

IRFP4668PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 520W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7m Ω @ 81A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10720pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 241nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 74 ns
Continuous Drain Current (ID) 130A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Dual Supply Voltage 200V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 24.99mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 9.7MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 520W
Turn On Delay Time 41 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 64 ns
Threshold Voltage 5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 520A
Avalanche Energy Rating (Eas) 760 mJ
Nominal Vgs 5 V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFP4668PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFP4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFP4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFP4004 IR CIs Calientes Especializados 32853
IRFP4004NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 25276
IRFP4004PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1319
IRFP4004PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP4110 IR CIs Calientes Especializados 352
IRFP4110 MOSFETIGBTIC IR CIs Calientes Especializados 561
IRFP4110PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1475
IRFP4110PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP4110PBF-CN IR CIs Calientes Especializados 1502
IRFP4110PBF-MX IR CIs Calientes Especializados 2918

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