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IRFP2907PBF Especificaciones técnicas
IRFP2907PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 4.5MOhm |
Voltage - Rated DC | 75V |
Current Rating | 209A |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 470W |
Turn On Delay Time | 23 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 209A Tc |
Rise Time | 190ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 130 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Dual Supply Voltage | 75V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 24.99mm |
Width | 5.3086mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 470W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5m Ω @ 125A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 130 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 209A |
JEDEC-95 Code | TO-247AC |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 90A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 840A |
Recovery Time | 210 ns |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 15.87mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFP2907PBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFP2907PBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFP2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFP2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFP21N60L | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2783 |
IRFP21N60L | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2545 |
IRFP21N60LPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2899 |
IRFP21N60LPBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1234 |
IRFP21N60LPBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 554 |
IRFP221 | IR | CIs Especializados | 1207 |
IRFP224-ND | IR | CIs Calientes Especializados | 2784 |
IRFP22N50A | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2976 |
IRFP22N50A | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 708 |
IRFP22N50APBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9713 |
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