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IRFL4310TRPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
Resistance | 200mOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 1.6A |
JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.1W |
Turn On Delay Time | 7.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A Ta |
Rise Time | 18ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 34 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2.2A |
Recovery Time | 110 ns |
Nominal Vgs | 4 V |
Height | 1.8mm |
Width | 3.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1999 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
Voltage - Rated DC | 100V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200m Ω @ 1.6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 20 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Min Breakdown Voltage | 100V |
Length | 6.6802mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFL4310TRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFL4310TRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFL4" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFL4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFL4105 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5323 |
IRFL4105 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 24690 |
IRFL4105PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2732 |
IRFL4105PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFL4105TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5345 |
IRFL4105TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5281 |
IRFL4105TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFL4105TRPBF MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1435 |
IRFL4105TRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 2584 |
IRFL4310 | IR | CIs Calientes Especializados | 1212 |
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