IRFI4229PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 46W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Tc
Rise Time 17ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 32 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.046Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72A
Height 9.8mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Power Dissipation-Max 46W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 19A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Avalanche Energy Rating (Eas) 110 mJ
Length 10.63mm
Radiation Hardening No
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFI4019H IR CIs Calientes Especializados 82
IRFI4019H-117P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2260
IRFI4019H-117P Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRFI4019H-117P MOS IR CIs Calientes Especializados 263
IRFI4019H-117P/IRFI4019HG-117P IR CIs Calientes Especializados 10273
IRFI4019HG IR CIs Calientes Especializados 2693
IRFI4019HG-117P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2258
IRFI4019HG-117P Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRFI4019HG-117P MOS IR CIs Calientes Especializados 8271
IRFI4020H-117P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 676

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