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IRFH5006TRPBF Especificaciones técnicas
IRFH5006TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PDSO-N5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4175pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Height | 990.6μm |
Width | 5.15mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 4.1MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 156W Tc |
Power Dissipation | 156W |
Turn On Delay Time | 9.6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A Ta 100A Tc |
Rise Time | 13ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Nominal Vgs | 2 V |
Length | 6.1468mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFH5006TRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFH5006TRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFH5" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFH5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFH5004 | IR | CIs Calientes Especializados | 1352 |
IRFH5004TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10482 |
IRFH5004TR2PBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 326 |
IRFH5004TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 20252 |
IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFH5004TRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 592 |
IRFH5006PBF | IR | CIs Calientes Especializados | 523 |
IRFH5006TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10598 |
IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFH5006TR2PBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 11600 |
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