IRFH4255DTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 38W
Number of Elements 2
Power - Max 31W 38W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 30A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 900μm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Base Part Number IRFH4255
Element Configuration Dual
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A 105A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Threshold Voltage 1.6V
FET Feature Logic Level Gate
Length 6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFH4201TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31783
IRFH4201TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFH4209DPbF QQ2850920 CIs Calientes Especializados 15045
IRFH4209DTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 81563
IRFH4210DPBF IR CIs Calientes Especializados 2623
IRFH4210DTPRB. IR CIs Calientes Especializados 12500
IRFH4210DTPRBF. IR CIs Calientes Especializados 12000
IRFH4210DTPRBF. MOS IR CIs Calientes Especializados 12211
IRFH4210DTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41025
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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