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IRFB4332PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 390W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 60A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 250V |
Recovery Time | 290 ns |
Nominal Vgs | 5 V |
Length | 10.66mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 33MOhm |
Voltage - Rated DC | 250V |
Current Rating | 60A |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 390W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33m Ω @ 35A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5860pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Dual Supply Voltage | 250V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 19.8mm |
Width | 4.82mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRFB4332PBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFB4332PBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFB4" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFB4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFB4019 | IR | CIs Calientes Especializados | 1366 |
IRFB4019PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5375 |
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFB4019PBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 348 |
IRFB4020 | IR | CIs Calientes Especializados | 1362 |
IRFB4020PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1480 |
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFB4030 | IR | CIs Calientes Especializados | 2596 |
IRFB4103 | IR/VISHAY | CIs Calientes Especializados | 19000 |
IRFB4103PBF | IR | CIs Calientes Especializados | 6820 |
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