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IRFB4233PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Operating Temperature | 175°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 370W Tc |
Power Dissipation | 370W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 230V |
Vgs (Max) | ±30V |
Continuous Drain Current (ID) | 56A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Dual Supply Voltage | 276V |
Drain to Source Resistance | 37mOhm |
Nominal Vgs | 5 V |
Length | 10.6426mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Termination | Through Hole |
Min Operating Temperature | -40°C |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 31 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 28A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5510pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 51 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 230V |
Input Capacitance | 5.51nF |
Rds On Max | 37 mΩ |
Height | 16.51mm |
Width | 4.82mm |
REACH SVHC | No SVHC |
IRFB4233PBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFB4233PBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFB4" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFB4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFB4019 | IR | CIs Calientes Especializados | 1366 |
IRFB4019PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5375 |
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFB4019PBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 348 |
IRFB4020 | IR | CIs Calientes Especializados | 1362 |
IRFB4020PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1480 |
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFB4030 | IR | CIs Calientes Especializados | 2596 |
IRFB4103 | IR/VISHAY | CIs Calientes Especializados | 19000 |
IRFB4103PBF | IR | CIs Calientes Especializados | 6820 |
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