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IRFB3207PBF Especificaciones técnicas

IRFB3207PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Lead Pitch 2.54mm
Power Dissipation-Max 330W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 74 ns
Continuous Drain Current (ID) 180A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 75A
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Dual Supply Voltage 75V
Height 4.82mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 75V
Current Rating 180A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 29 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A Tc
Rise Time 120ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 68 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0045Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 720A
Nominal Vgs 4 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFB3207PBF Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRFB3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFB3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFB3004 IR CIs Calientes Especializados 25367
IRFB3004G IR CIs Calientes Especializados 18829
IRFB3004GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2746
IRFB3004PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25345
IRFB3004PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFB3004PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 660
IRFB3006 IR CIs Calientes Especializados 32629
IRFB3006G IR CIs Calientes Especializados 32764
IRFB3006GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 505
IRFB3006GPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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