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IRF9Z34NSTRRPBF Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 19A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 68A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 180 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1997 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 68W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.1Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 55V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF9Z34NSTRRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF9Z34NSTRRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF9Z" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF9Z'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF9Z10 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3277 |
IRF9Z10 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13433 |
IRF9Z10PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6246 |
IRF9Z10PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6246 |
IRF9Z10PBF MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 1635 |
IRF9Z14 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25438 |
IRF9Z14 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25384 |
IRF9Z14L | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2707 |
IRF9Z14L | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2541 |
IRF9Z14LPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3133 |
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Carcasas de Conec...
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