IRF8313PBF Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number IRF8313PBF
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9.7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 81A
Avalanche Energy Rating (Eas) 46 mJ
Power Dissipation-Max (Abs) 2W
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5m Ω @ 9.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V
JEDEC-95 Code MS-012AA
Drain-source On Resistance-Max 0.0155Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF830 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25373
IRF830 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25384
IRF830 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2499
IRF830 IC IR CIs Calientes Especializados 949
IRF830 MOS IR CIs Calientes Especializados 571
IRF830-HF MOS APEC CIs Calientes Especializados 88722
IRF8301MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF8302MTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2766
IRF8302MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56198

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