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IRF8010PBF Especificaciones técnicas

IRF8010PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 260W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 130ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 61 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Recovery Time 150 ns
Height 8.763mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 15Ohm
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 80A
Power Dissipation-Max 260W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15m Ω @ 45A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3830pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 75A
Dual Supply Voltage 100V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF8010PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRF80"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF8010 TO-220 CIs Calientes Especializados 1414
IRF8010 MOS IR CIs Calientes Especializados 814
IRF8010L IR CIs Calientes Especializados 1205
IRF8010PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5406
IRF8010S IR CIs Calientes Especializados 1793
IRF8010SPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24520
IRF8010SPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF8010STRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8909
IRF8010STRLPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF8010STRLPBF. IR CIs Calientes Especializados 2559

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