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IRF7759L2TRPBF Especificaciones técnicas
IRF7759L2TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 11 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | BOTTOM |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.3W Ta 125W Tc |
Power Dissipation | 125W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A Ta 375A Tc |
Rise Time | 87ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0023Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 640A |
Height | 508μm |
Width | 7.112mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 9 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-XBCC-N9 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3m Ω @ 96A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12222pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 33 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 26A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 257 mJ |
Length | 9.144mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF7759L2TRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF7759L2TRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF77" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF77'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF7700 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3897 |
IRF7700GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2500 |
IRF7700TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2548 |
IRF7700TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4000 |
IRF7701 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24000 |
IRF7701GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
IRF7701TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8465 |
IRF7701TR MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 2550 |
IRF7701TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4303 |
IRF7701TRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 8500 |
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