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IRF7756TR Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 4.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF7700 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3897
IRF7700GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2500
IRF7700TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2548
IRF7700TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4000
IRF7701 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24000
IRF7701GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRF7701TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8465
IRF7701TR MOS IR CIs Calientes Especializados 2550
IRF7701TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4303
IRF7701TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 8500

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