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IRF7410TRPBF Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 7MOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -16A |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7m Ω @ 16A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8676pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 271 ns |
Threshold Voltage | -400mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | -12V |
Dual Supply Voltage | -12V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.75mm |
Width | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Voltage - Rated DC | -12V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Row Spacing | 6.3 mm |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A Ta |
Rise Time | 12ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 200 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -16A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 65A |
Recovery Time | 145 ns |
Nominal Vgs | -900 mV |
Length | 4.9784mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF7410TRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF7410TRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF74" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF74'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF740 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3224 |
IRF740 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2203 |
IRF740 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3183 |
IRF740 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 337 |
IRF7401 | IR | CIs Calientes Especializados | 517 |
IRF7401 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 22357 |
IRF7401/TSM7401 | Original | CIs Calientes Especializados | 37900 |
IRF7401PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 995 |
IRF7401TR | IR | CIs Calientes Especializados | 5244 |
IRF7401TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3861 |
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