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IRF7325PBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Base Part Number IRF7325PBF
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 7.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF730 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
IRF730 IC IR CIs Calientes Especializados 716
IRF7301 IR CIs Calientes Especializados 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7301TR IR CIs Calientes Especializados 3787
IRF7301TR IC IR CIs Calientes Especializados 898

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