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IRF7306TRPBF Especificaciones técnicas
IRF7306TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 100mOhm |
Voltage - Rated DC | -30V |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | IRF7306PBF |
Row Spacing | 6.3 mm |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 2W |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 1.8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Threshold Voltage | -1V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Nominal Vgs | -1 V |
Length | 4.9784mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1997 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Max Power Dissipation | 2W |
Current Rating | -3.6A |
Number of Elements | 2 |
Number of Channels | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
Rise Time | 17ns |
Fall Time (Typ) | 18 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -3.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 14A |
Recovery Time | 80 ns |
FET Feature | Logic Level Gate |
Height | 1.75mm |
Width | 4.05mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRF7306TRPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF7306TRPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF73" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF73'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF730 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1408 |
IRF730 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9119 |
IRF730 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9174 |
IRF730 | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
IRF730 IC | IR | CIs Calientes Especializados | 716 |
IRF7301 | IR | CIs Calientes Especializados | 4875 |
IRF7301PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 5483 |
IRF7301PBF | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRF7301TR | IR | CIs Calientes Especializados | 3787 |
IRF7301TR IC | IR | CIs Calientes Especializados | 898 |
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