IRF7304QTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Published 2010
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 90 mΩ
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRF7304QPBF
Turn On Delay Time 8.4 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A
Rise Time 26ns
Fall Time (Typ) 33 ns
Continuous Drain Current (ID) -4.7A
Input Capacitance 610pF
Drain to Source Resistance 140mOhm
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status RoHS Compliant
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IRF730 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
IRF730 IC IR CIs Calientes Especializados 716
IRF7301 IR CIs Calientes Especializados 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7301TR IR CIs Calientes Especializados 3787
IRF7301TR IC IR CIs Calientes Especializados 898

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