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IRF7101TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Power Rating 2W
Max Power Dissipation 2W
Current Rating 3.5A
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V
Rise Time 10ns
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Dual Supply Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Resistance 100mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF7101PBF
Row Spacing 6.3 mm
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 14A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 3 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF710 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9330
IRF710 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2360
IRF7101 IR CIs Calientes Especializados 5215
IRF7101 IC IR CIs Calientes Especializados 628
IRF7101 MOS IR CIs Calientes Especializados 336
IRF7101 SO-8 IR CIs Calientes Especializados 5488
IRF7101PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 63147
IRF7101PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7101PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 15381
IRF7101TPBF IR CIs Calientes Especializados 2508

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