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IRF640NPBF Especificaciones técnicas
IRF640NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 200V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 150W |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A Tc |
Rise Time | 19ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 23 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 72A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 247 mJ |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 19.8mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1999 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 150mOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 18A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 150W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150m Ω @ 11A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 18A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Dual Supply Voltage | 200V |
Recovery Time | 241 ns |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF640NPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF640NPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF64" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF64'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF640 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2347 |
IRF640 IC | ST | CIs Calientes Especializados | 967 |
IRF640 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 839 |
IRF640,127 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2740 |
IRF640A | SEC | CIs Calientes Especializados | 515 |
IRF640B | FSC | CIs Calientes Especializados | 2332 |
IRF640B IC | IR | CIs Calientes Especializados | 348 |
IRF640BPBF | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
IRF640FP | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1259 |
IRF640L | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2545 |
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