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IRF630NSTRRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 82W
Turn On Delay Time 7.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A Tc
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 94 mJ
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 200V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 9.3A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 82W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300m Ω @ 5.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.3A
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Height 4.826mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'IRF63' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF630 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1376
IRF630 MOS ST CIs Calientes Especializados 533
IRF630. IR CIs Calientes Especializados 749
IRF630/FP ST CIs Calientes Especializados 838
IRF6305TRL IR CIs Calientes Especializados 1480
IRF630A FAIRCHI CIs Calientes Especializados 645
IRF630A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 563
IRF630APBF VB CIs Calientes Especializados 10437
IRF630B FSC CIs Calientes Especializados 21760
IRF630B MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 336

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