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IRF5210SPBF Especificaciones técnicas
IRF5210SPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.1W Ta 170W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.06Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 38A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 38A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 140A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 120 mJ |
IRF5210SPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF5210SPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF52" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF52'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF520 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 78795 |
IRF520 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 79032 |
IRF520 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2400 |
IRF520-PBF | IR | CIs Especializados | 5308 |
IRF520A | SEC | CIs Calientes Especializados | 1447 |
IRF520N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3387 |
IRF520NL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10447 |
IRF520NLPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2701 |
IRF520NPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 15370 |
IRF520NPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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