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IRF4905PBF Especificaciones técnicas

IRF4905PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -74A
Lead Pitch 2.54mm
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 74A Tc
Rise Time 99ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 96 ns
Continuous Drain Current (ID) -74A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 64A
Drain to Source Breakdown Voltage -55V
Dual Supply Voltage -55V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 19.8mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC -55V
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 61 ns
Threshold Voltage -4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 260A
Recovery Time 130 ns
Nominal Vgs -4 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF4905PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRF49"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF49' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF4905 IR CIs Calientes Especializados 1246
IRF4905 MOSFETIGBTIC IR CIs Calientes Especializados 22258
irf4905/IRF4905S IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 30408
IRF4905L IR CIs Calientes Especializados 2313
IRF4905LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5443
IRF4905LPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF4905LPBF. IR CIs Calientes Especializados 1850
IRF4905NSTRLPBF IR CIs Calientes Especializados 2528
IRF4905PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2475
IRF4905PBF IC IR CIs Calientes Especializados 398

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