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IRF3709PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 9Ohm |
Voltage - Rated DC | 30V |
Current Rating | 90A |
Power Dissipation-Max | 3.1W Ta 120W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9m Ω @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2672pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 9.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 90A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 75A |
Dual Supply Voltage | 30V |
Height | 8.763mm |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 120W |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A Tc |
Rise Time | 171ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 21 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 3 V |
Length | 10.5156mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF3709PBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF3709PBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF37" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF37'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF3703 | IR | CIs Calientes Especializados | 78812 |
IRF3703PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9807 |
IRF3703PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRF3704 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6156 |
IRF3704 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 725 |
IRF3704L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2767 |
IRF3704LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2680 |
IRF3704PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1521 |
IRF3704PBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 30 |
IRF3704S | IR/VISHAY | CIs Calientes Especializados | 596 |
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