IRF3709PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 9Ohm
Voltage - Rated DC 30V
Current Rating 90A
Power Dissipation-Max 3.1W Ta 120W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2672pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 9.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 75A
Dual Supply Voltage 30V
Height 8.763mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 120W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Rise Time 171ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Threshold Voltage 3V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 3 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF3703 IR CIs Calientes Especializados 78812
IRF3703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9807
IRF3703PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF3704 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6156
IRF3704 MOS IR CIs Calientes Especializados 725
IRF3704L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
IRF3704LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
IRF3704PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1521
IRF3704PBF. IR CIs Calientes Especializados 30
IRF3704S IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 596

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