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IRF3205ZSTRLPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 170W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A Tc |
Rise Time | 95ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 440A |
Nominal Vgs | 20 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 6.5MOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 170W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5m Ω @ 66A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3450pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 67 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 75A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 250 mJ |
Height | 4.826mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRF3205ZSTRLPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF3205ZSTRLPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF32" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF32'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF3203 | IR | CIs Calientes Especializados | 1283 |
IRF3205 | IR | CIs Calientes Especializados | 5406 |
IRF3205. | Original | CIs Calientes Especializados | 40 |
IRF3205Â | IR | CIs Calientes Especializados | 5381 |
IRF3205L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2775 |
IRF3205LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2680 |
IRF3205LPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRF3205NS | IR | CIs Calientes Especializados | 6 |
IRF3205PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 50489 |
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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