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IRF1310NSTRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 42A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 160W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36m Ω @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 100V
Recovery Time 270 ns
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 36mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.8W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 56ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 45 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 420 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'IRF13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF130 IR CIs Calientes Especializados 5302
IRF1302 IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 21489
IRF1302L IR CIs Calientes Especializados 736
IRF1302PBF IR CIs Calientes Especializados 5983
IRF1302PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 270
IRF1302S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17759
IRF1302S MOS IR CIs Calientes Especializados 3440
IRF131 HAR CIs Calientes Especializados 2650
IRF1310N IR CIs Calientes Especializados 10520
IRF1310NL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12686

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