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IRF1018ESPBF Especificaciones técnicas

IRF1018ESPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 52 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 110W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4m Ω @ 47A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 46 ns
Continuous Drain Current (ID) 79A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 88 mJ
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Resistance 8.4MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 110W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 79A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Recovery Time 39 ns
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF1018ESPBF Documentos

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Otros incluyen   "IRF10"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF1008TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 298
IRF100B102 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 25272
IRF100B102PBF International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 25256
IRF100B201 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20262
IRF100B201 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF100B201 IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10343
IRF100B201PBF IR CIs Calientes Especializados 2591
IRF100B202 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5430
IRF100B202 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF100P218 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 499

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