IRF1010EZSPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 175°C
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 75A
Power Dissipation-Max 140W Tc
Power Dissipation 140W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 90ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 54 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 60V
Drain to Source Resistance 8.5mOhm
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
Resistance 8.5MOhm
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 19 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 51A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Input Capacitance 2.81nF
Rds On Max 8.5 mΩ
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
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IRF1008TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 298
IRF100B102 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 25272
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