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IPW60R037P7XKSA1
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IPW60R037P7XKSA1 Especificaciones técnicas
IPW60R037P7XKSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ P7 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 255W Tc |
Power Dissipation | 255W |
Turn On Delay Time | 22 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.48mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 76A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.037Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 280A |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37m Ω @ 29.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5243pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 90 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 295 mJ |
Height | 25.4mm |
IPW60R037P7XKSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPW60R037P7XKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPW60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPW60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPW60R017C7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 27 |
IPW60R017C7 60C7017 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 738 |
IPW60R017C7 94N65 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1250 |
IPW60R017C7XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2555 |
IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPW60R018CFD7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 10268 |
IPW60R031CFD7XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1720 |
IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPW60R037CSFD | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 53121 |
IPW60R037P7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 60 |
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