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IPT60R080G7XTMA1
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IPT60R080G7XTMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | 8-PowerSFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-F3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 167W Tc |
Power Dissipation | 167W |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 29A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.08Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 83A |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Manufacturer Package Identifier | PG-HSOF-8 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ G7 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 9.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 61 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 97 mJ |
Height | 2.4mm |
IPT60R080G7XTMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPT60R080G7XTMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPT60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPT60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPT60R022S7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1455 |
IPT60R028G7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 6457 |
IPT60R028G7/60R028G7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 371 |
IPT60R028G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2714 |
IPT60R028G7XTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPT60R050G7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2313 |
IPT60R050G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2519 |
IPT60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPT60R080G7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1327 |
IPT60R080G7 60R080G7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 6304 |
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