IPT60R080G7XTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case 8-PowerSFN
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 167W Tc
Power Dissipation 167W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 29A
Drain-source On Resistance-Max 0.08Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 83A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Manufacturer Package Identifier PG-HSOF-8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ G7
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80m Ω @ 9.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 97 mJ
Height 2.4mm
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