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IPT111N20NFDATMA1 Especificaciones técnicas

IPT111N20NFDATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Package Identifier PG-HSOF-8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Reach Compliance Code not_compliant
Power Dissipation-Max 375W Tc
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1m Ω @ 96A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 96A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Height 2.4mm
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerSFN
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Power Dissipation 375W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 267μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 96A
Max Dual Supply Voltage 200V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'IPT11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPT111N20NFD International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5334
IPT111N20NFDATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2337

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