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IPP90R1K2C3XKSA1
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IPP90R1K2C3XKSA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 70 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 310μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 40 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 5.1A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 68 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 83W Tc |
Power Dissipation | 83W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ω @ 2.8A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A Tc |
Rise Time | 20ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 400 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 900V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
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-
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Las siguientes partes incluyen 'IPP90'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP90N03S4L-03 4N03L03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 716 |
IPP90N04S4-02 | VB | CIs Calientes Especializados | 10587 |
IPP90N04S4-02 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1567 |
IPP90N04S402AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2552 |
IPP90N06S4-04 | Infineon | CIs Calientes Especializados | 703 |
IPP90N06S404AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2747 |
IPP90N06S404AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP90N06S404AKSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2726 |
IPP90N06S4L-04 | Infineon | CIs Calientes Especializados | 10449 |
IPP90N06S4L-05 4N06L05 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 636 |
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