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IPP80N04S306AKSA1
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IPP80N04S306AKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 100W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 52μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 80A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 320A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 125 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | compliant |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7m Ω @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0057Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 40V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPP80N04S306AKSA1
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Otros incluyen "IPP80" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP80CN10N | Infineon | CIs Calientes Especializados | 2622 |
IPP80CN10N G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 32500 |
IPP80CN10NG | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2557 |
IPP80CN10NG MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5285 |
IPP80CN10NG(80CN10N) | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2707 |
IPP80CN10NGHKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2581 |
IPP80N03S4L-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10253 |
IPP80N03S4L-04 | I | CIs Calientes Especializados | 50000 |
IPP80N03S4L03AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2773 |
IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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