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IPP60R360P7XKSA1
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IPP60R360P7XKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ P7 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 41W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.36Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 600V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360m Ω @ 2.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 26A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 27 mJ |
IPP60R360P7XKSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPP60R360P7XKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP600N25N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 21378 |
IPP600N25N3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2703 |
IPP600N25N3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5294 |
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP60R022S7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1438 |
IPP60R040C7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1307 |
IPP60R040C7XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2712 |
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP60R060C7 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 414 |
IPP60R060C7XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2665 |
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