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IPP50R399CPXKSA1
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IPP50R399CPXKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | FET General Purpose Powers |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 83W |
Turn On Delay Time | 35 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 14 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 9A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 500V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 500V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 215 mJ |
Length | 10.36mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 83W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399m Ω @ 4.9A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Ta |
Rise Time | 14ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20A |
Height | 15.95mm |
Width | 4.57mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPP50R399CPXKSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPP50R399CPXKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP50" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP50'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP50CN10N G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 395 |
IPP50CN10NG | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 582 |
IPP50CN10NGXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2517 |
IPP50N10S3L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10416 |
IPP50N10S3L16AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2741 |
IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP50N12S3L15AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2718 |
IPP50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP50R140CP | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 885 |
IPP50R140CP 5R140P | Original | CIs Calientes Especializados | 2551 |
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