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IPP120N08S403AKSA1
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IPP120N08S403AKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH TO220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 223μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11550pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 50 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 120A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0028Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480A |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 278W Tc |
Power Dissipation | 278W |
Turn On Delay Time | 30 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 15ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 60 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 80V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 80V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 920 mJ |
Height | 20.7mm |
Lead Free | Contains Lead |
IPP120N08S403AKSA1 Documentos
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP12" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP120N04S3-02 | VB | CIs Calientes Especializados | 523 |
IPP120N04S3-02(3PN0402) | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 3300 |
IPP120N04S302AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2790 |
IPP120N04S302AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP120N04S4-01 | VB | CIs Calientes Especializados | 540 |
IPP120N04S4-02 | VB | CIs Calientes Especializados | 500 |
IPP120N04S401AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2765 |
IPP120N04S401AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP120N04S402AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2690 |
IPP120N04S402AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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