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IPP110N20N3GXKSA1
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IPP110N20N3GXKSA1 Especificaciones técnicas
IPP110N20N3GXKSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Power Dissipation | 300W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11m Ω @ 88A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A Tc |
Rise Time | 26ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 41 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 200V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 560 mJ |
Height | 20.7mm |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 88A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPP110N20N3GXKSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPP110N20N3GXKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP11" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP110N06L G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 29151 |
IPP110N06LG | INF | CIs Calientes Especializados | 517 |
IPP110N20N | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 632 |
IPP110N20N3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5323 |
IPP110N20N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 697 |
IPP110N20N3G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 5413 |
IPP110N20N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5317 |
IPP110N20N3G-ND | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 499 |
IPP110N20N3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2654 |
IPP110N20NA | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1672 |
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