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IPP076N15N5AKSA1
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IPP076N15N5AKSA1 Especificaciones técnicas
MV POWER MOS
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Surface Mount | NO |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 175°C |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Continuous Drain Current (ID) | 112A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 448A |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 20.7mm |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Power Dissipation | 214W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Drain to Source Resistance | 5.9mOhm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPP076N15N5AKSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPP076N15N5AKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP07" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP07'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP070N06L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 6 |
IPP070N06L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18977 |
IPP070N06LG | INF | CIs Calientes Especializados | 10531 |
IPP070N06N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 37500 |
IPP070N06NG | I | CIs Calientes Especializados | 15495 |
IPP070N06NG MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5369 |
IPP070N08N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2349 |
IPP070N08N3G | I | CIs Calientes Especializados | 3908 |
IPP070N60LG | INF | CIs Calientes Especializados | 22 |
IPP072N10N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 13 |
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