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IPP055N03LGXKSA1
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IPP055N03LGXKSA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-220 Tube
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 175°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation | 68W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Input Capacitance | 3.2nF |
Rds On Max | 5.5 mΩ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Power Dissipation-Max | 68W Tc |
Turn On Delay Time | 6.7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A Tc |
Rise Time | 5.2ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 50A |
Max Dual Supply Voltage | 30V |
Drain to Source Resistance | 4.6mOhm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPP055N03LGXKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP05" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP05'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP050N06N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 806 |
IPP050N06NG | IGBT Module | Módulos IGBT | 2820 |
IPP050NE7N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 28 |
IPP051N15N5 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 14729 |
IPP051N15N5 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1189 |
IPP051N15N5 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 449048 |
IPP051N15N5AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2710 |
IPP051N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP052N06L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 963 |
IPP052N06L3 G | Infineon | CIs Calientes Especializados | 29111 |
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