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IPP04CN10NGXKSA1
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IPP04CN10NGXKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET MV POWER MOS
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 34 ns |
Halogen Free | Halogen Free |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Input Capacitance | 13.8nF |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Rds On Max | 4.2 mΩ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-220 |
Published | 2008 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 175°C |
Max Power Dissipation | 300W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 300W |
Transistor Application | SWITCHING |
Rise Time | 78ns |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Turn-Off Delay Time | 76 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1000 mJ |
Drain to Source Resistance | 3.9mOhm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IPP04CN10NGXKSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPP04CN10NGXKSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP04" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP04'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP040N04NG | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 368 |
IPP040N06N | Infineon | CIs Calientes Especializados | 81779 |
IPP040N06N MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 30348 |
IPP040N06N3 G | Original | CIs Calientes Especializados | 22767 |
IPP040N06N3 G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1822 |
IPP040N06N3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 15079 |
IPP040N06N3G 040N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1463 |
IPP040N06N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3088 |
IPP040N06N3GHKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2602 |
IPP040N06N3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2518 |
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