IPP027N08N5AKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Weight 6.000006g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 46 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 80V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Avalanche Energy Rating (Eas) 374 mJ
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 214W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 22 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 154μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8970pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0027Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 480A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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