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IPN80R3K3P7ATMA1
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IPN80R3K3P7ATMA1 Especificaciones técnicas
CoolMOS P7 Power Transistor MOSFET 800V 1.9A 3-Pin PG-SOT223 T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-261-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ P7 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 6.1W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Vgs (Max) | ±20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ω @ 590mA, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 500V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
DS Breakdown Voltage-Min | 800V |
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