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IPN50R950CEATMA1
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IPN50R950CEATMA1 Especificaciones técnicas
INFINEON IPN50R950CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 VNew
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-261-3 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 5W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950m Ω @ 1.2A, 13V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 13V |
Continuous Drain Current (ID) | 6.6A |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ CE |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Vgs (Max) | ±20V |
Threshold Voltage | 3V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPN50R950CEATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPN50R950CEATMA1
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Hojas de datos
Otros incluyen "IPN50" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPN50'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPN50R1K4CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2780 |
IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPN50R2K0CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2721 |
IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPN50R3K0CE | IR | CIs Calientes Especializados | 15000 |
IPN50R3K0CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2738 |
IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPN50R650CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2702 |
IPN50R800CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2659 |
IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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