IPI80N06S3L-05 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC 55V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 165W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 115μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 49ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 345 mJ
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish MATTE TIN
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 80A
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 165W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8m Ω @ 69A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 273nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 41 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Drain-source On Resistance-Max 0.008Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 320A
RoHS Status RoHS Compliant
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IPI80CN10N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
IPI80CN10NG inf CIs Calientes Especializados 1401
IPI80N03S4L03AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2693
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