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IPI70N04S307AKSA1
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IPI70N04S307AKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5m Ω @ 70A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 70A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 145 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 79W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0071Ohm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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