IPI45N06S409AKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Part Status Discontinued
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4m Ω @ 45A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3785pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 45A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180A
Avalanche Energy Rating (Eas) 97 mJ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 71W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 34μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0094Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPI45N06S3-16 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2586
IPI45N06S3L-13 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2550
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